A Intel anunciou isso oficialmente. Norberto Mateos, diretor de consumo da área EMEA e diretor geral da Intel Espanha, confirmou que a sua empresa pretende consolidar-se como o segundo maior fabricante de semicondutores no mercado global. No médio prazo, chegar à TSMC, que tem uma participação de mercado aproximada de 55%, é muito difícil (Intel caminha na órbita de 17 a 20%), mas, mesmo assim, busca competir de igual para igual com ela.
Neste momento, a Intel está de olho na Samsung. É claro que um plano realista exige prestar atenção ao concorrente mais próximo e tomar as medidas necessárias para se distanciar dele e superá-lo. E a estratégia IDM 2.0 (Fabricação Integrada de Dispositivos) que Pat Gelsinger lançou é tudo nesse propósito. Como esperado, a Samsung não ficou de braços cruzados. Depois de um mau 2023 para a sua subsidiária de semicondutores, esta empresa prepara-se para enfrentar o futuro equipada com a sua melhor tecnologia.
Samsung acelerou o desenvolvimento de seus transistores MBCFET de 2ª geração
Os planos desta empresa sul-coreana são tão ambiciosos quanto os da TSMC ou da Intel. Em 2025, planeja introduzir a fabricação em larga escala de chips usando sua tecnologia GAA (Portão completo) de 2 nm, e em 2027 pretende iniciar a produção de circuitos integrados GAA de 1,4 nm. A Samsung iniciou a produção de chips GAA em seu nó de 3nm de primeira geração em junho do ano passado. No momento, é o único fabricante de circuitos integrados que produz chips GAA com tecnologia MBCFET (FET Multi-Bridge-Canal).
A Samsung afirma que sua tecnologia GAA MBCFET em seu nó de 3 nm de segunda geração permite fabricar chips com consumo 50% menor do que seus circuitos integrados de 5 nm.
Antes de prosseguir, vale a pena investigar brevemente a tecnologia GAA MBCFET sobre a qual esta empresa sul-coreana está estruturando a sua estratégia de semicondutores para os próximos anos. O objetivo desta inovação é superar a tecnologia FinFET num parâmetro crucial: desempenho por watt. Os circuitos integrados com transistores FinFET começaram a ser fabricados em larga escala no início da última década, portanto é uma tecnologia madura que TSMC, Intel e Samsung conhecem muito bem e não abandonarão facilmente. Ainda assim, no futuro os transistores GAA irão reinar.
A Samsung afirma que sua tecnologia GAA MBCFET em seu nó de 3 nm de segunda geração permite fabricar chips com consumo 50% menor do que seus circuitos integrados de 5 nm, desempenho 30% maior e 35% mais área restrita. A estrutura dos transistores GAA MBCFET é diferente da dos transistores GAA convencionais, que, segundo a Samsung, aumenta a corrente que flui através do transistor e requer uma tensão operacional mais baixa. Na prática, o que esta empresa pretende é ter os melhores transistores da indústria em 2027, que será, como vimos, o ano em que esta inovação atingirá o seu nó de 1,4 nm.
Entretanto, isso não é tudo. Para competir cara a cara com a Intel e a TSMC, a Samsung precisa colocar sua melhor tecnologia na mesa. Esta é a razão pela qual, segundo a mídia sul-coreana, a ZD Net Korea está acelerando o desenvolvimento de sua tecnologia MBCFET de segunda geração. Tanto, aliás, que será anunciado oficialmente, novamente de acordo com este meio, no evento IEEE EDTM 2024 que será realizado este mês.
Presumivelmente, a segunda geração desta tecnologia terá um desempenho ainda melhor que o seu antecessor, o que em teoria tornará mais fácil para a Samsung desenvolver o seu litografia de 3nm de segunda geração (SF3). Parece bom, embora seja interessante ver se seu desempenho por wafer está realmente à altura.
Imagem | Samsung
Mais informações | DigiTimes Ásia
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